（中央社記者張建中新竹28日電）工研院與強茂今天簽約合作，將共同投入絕緣閘雙極電晶體(IGBT)功率模組開發，預計在2019年第1季設立試量產線，搶攻電動車市場。

工研院電光系統所所長吳志毅表示，工研院投入工率模組技術研發超過8年，開發出的IGBT智慧功率模組，透過電腦輔助工程軟體分析，將可較傳統陶瓷基板架構的模組，改善40%的熱阻。

吳志毅指出，工研院開發的IGBT智慧功率模組還可降低運作中的溫度達攝氏20度，有助提升電能轉換運作過程中的系統穩定性與轉換效率。

工研院今天與強茂簽約合作，將建立國內自主IGBT模組設計、封裝、測試技術能力，搶攻電動車市場，雙方初步規劃，將在2019年第1季設立試量產線。（編輯：張良知）1070628


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